Микрон говори за раздялата с Intel по отношение на нанд

Micron говори за причината за раздялата с Intel по отношение на сътрудничеството в развитието на NAND паметта. Миналия януари Intel и Micron обявиха, че обединението им в развитието на NAND паметта приключва и двете компании планират да продължат самостоятелно да развиват своята NAND технология.

Micron ще заложи на Charge-Trap технологията за производство на своите NAND чипове

Причината за това разпадане беше неизвестна досега, въпреки че всичко показваше, че Intel и Micron искат да вземат своята NAND технология в отделни посоки. Micron и Intel използват Floating Gate NAND технология, производствена техника, която те промотират като превъзходна на модела Charge-Trap, използвана от почти всички други производители като Samsung, SK Hynix, Western Digital и Toshiba. Поглеждайки напред към четвъртото поколение, Micron планира да премине към Charge-Trap, оставяйки Intel като единствен привърженик на технологията Floating Gate.

Препоръчваме да прочетете нашата публикация за най-добрите SSD устройства в момента SATA, M.2 NVMe и PCIe (2018)

Досега Микрон беше скептично настроен към дълголетието на NAND 3D Charg-Trap паметта, спекулирайки, че данните могат да бъдат загубени след шест месеца без захранване. Така че Микрон не вярваше, че NAND, разработен с Charge-Trap, е използваем като дългосрочна енергонезависима среда за съхранение. В момента повечето производители използват Charge-Trap без признаци на проблеми със загубата на данни, така че Micron реши да възприеме тази технология, която досега отхвърля.

Въпреки това разпадане, двете компании продължават да работят заедно за разработването на XPoint памет, като планират да продължат да развиват технологията като енергонезависима среда за съхранение и като алтернатива на DRAM в избрани приложения.

Overlock3d шрифт