Samsung започва производството на gddr6 памет със скорост 18 gbps

Samsung обяви, че вече е започнало масово производство на първите GDDR6 чипове памет със скорост от 18 Gbps, най-бързата до момента и това ще направи възможно новите графични карти много по-мощни от настоящите.

18 Gbps GDDR6 на Samsung ще ръководи индустрията

Паметта GDDR5 / X вече е много близка до това, което е способна да предложи, така че индустрията се нуждае от подмяна, HBM2 паметта се оказа твърде скъпа, за да се използва като цяло, така че трябва да търсите други опции, там Тук идва новият GDDR6, който обещава да бъде много по-евтин за производство.

Samsung вече прави HBM2 памет от 8 GB при 2.4 Gbps

Новите 18 Gbps GDDR6 чипове на Samsung ще бъдат лидери в сектора, благодарение на тях ще имаме ново поколение графични процесори, по-мощни от сегашните, нещо особено важно в областта на видеоигрите, изкуствения интелект и центровете за данни.

Тези нови паметта на Samsung са произведени с помощта на неговия 10 nm процес, което позволява да се създадат чипове с плътност на съхранение от 2 GB, което е двойно по-голямо от GDDR5X чипове, създадени с процеса на 20 nm. Високата му скорост от 18 Gbps му позволява да предложи повече от два пъти по-голяма скорост на пин в сравнение с 8 Gbps GDDR5 памет.

За да стане това възможно, е използван нов дизайн на верига с ниска енергия, тези GDDR6 памет работят при напрежение 1, 35 V, за да намалят консумацията на енергия с приблизително 35% в сравнение с GDDR5 паметта, работеща при напрежение 1, 5V. Това се комбинира с 30% по-висока производителност благодарение на миниатюризацията на процеса при 10 nm в сравнение с 20 nm.

Шрифт на Techpowerup