Toshiba ще стартира xl спомени през следващата година

Японската мултинационална компания обяви в последната информация за Flash Memory Summit за своите нови решения за съхранение на XL-FLASH и днес знаем малко повече за тях. Разглеждаме по-отблизо стратегията и новите технологии на Toshiba, които допълнително размиват разликата между NAND и DRAM паметта .

Решения за съхранение на Toshiba XL-FLASH за началото на 2020 г.

Тези решения за съхранение са пряк отговор на Toshiba на Z-NAND паметта на Samsung и 3D XPoint на Intel . Те се открояват като SLC тип (Single Level Cells, на испански) , тоест ще съхраняват само по един бит на клетка, така че ще бъдат малко по-малки, но много по-надеждни и с по-ниска латентност.

Най-малките спомени, направени с тази структура, ще бъдат 128 GB и ще бъдат разделени на 16 равнини. Това значително ще увеличи способността за паралелна работа, особено в сравнение с други 3D NAND базирани памет. В замяна всяка страница ще бъде с размер само 4 kB , доста нисък брой в сравнение с пряката й конкуренция.

От друга страна, за да се компенсира този спад, беше установено, че латентността на четене ще бъде по-малка от 5 µs . Ако го поставим в перспектива с 50 µs от 3D TLC , това е голямо подобрение.

Друг момент, който трябва да се отбележи, е, че тези модели ще бъдат достъпни за всяка трета компания . За разлика от Z- SSD спомените, които са изключителни за Samsung , ще видим някои спомени под името на различни марки с технологията Toshiba .

Някои компании вече са говорили за това и са силно заинтересовани да публикуват свои модели. Това вероятно ще разклати пазара на паметта и както всички знаем, повече конкуренция обикновено е по-добра за потребителите.

Сглобяването на тези решения за съхранение ще започне следващия месец и както прогнозирахме в началото, ще видим тяхното стартиране през следващата година.

Мислите ли, че XL-FLASH може да промени пазара на паметта? Споделете идеите си тук в полето за коментар.

Anandtech шрифт